耐圧10 kV超GaN-PSJ FETと8 kV超GaN-PSJ Schottky Barrier Diode

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第65回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 17p-P12-1

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2018.1.0_3254

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 65

開催地: 早稲田大学・ベルサール高田馬場

開催日: 2018/03/17 - 2018/03/20

耐圧10 kV超GaN-PSJ FETと8 kV超GaN-PSJ Schottky Barrier Diode

*八木修一, 斉藤武尊, 中村文彦, 神山祐輔, 河合弘治, 田中敦之, 本田善央, 天野浩

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キーワード: 17p-P12-1, 半導体, 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術, 窒化物半導体電子デバイス・回路, 窒化ガリウムトランジスタダイオード耐圧

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