応用物理学会学術講演会講演予稿集
Online ISSN : 2436-7613
第65回応用物理学会春季学術講演会
セッションID: 17p-P12-3
会議情報

主催: 公益社団法人 応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 65

開催地: 早稲田大学・ベルサール高田馬場

開催日: 2018/03/17 - 2018/03/20

Cl2およびBCl3を用いたICP-RIEによるGaN表面粗さへの影響
*宇崎 滉太, 今熊 豪, 新海 聡子
著者情報
キーワード: 17p-P12-3, 半導体, 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術, 窒化物半導体各種デバイス，プロセス技術・評価, 窒化ガリウム, ドライエッチング, 表面粗さ
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