共スパッタ法と(t-C<sub>4</sub>H<sub>9</sub>)<sub>2</sub>S<sub>2</sub>を用いた硫化によるMoS<sub>2(1-x)</sub> Te<sub>2x</sub>混晶の成膜

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第65回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 20a-C202-4

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2018.1.0_4031

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 65

開催地: 早稲田大学・ベルサール高田馬場

開催日: 2018/03/17 - 2018/03/20

共スパッタ法と(t-C₄H₉)₂S₂を用いた硫化によるMoS_2(1-x) Te_2x混晶の成膜

*日比野祐介, 石原聖也, 小柳有矢, 澤本直美, 大橋匠, 松浦賢太郎, 町田英明, 石川真人, 須藤弘, 若林整, 小椋厚志

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キーワード: 20a-C202-4, ナノカーボン, 層状物質, 成長技術, 層状物質, 混晶

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