単結晶Siの直接通電加熱による低温変形とその分子動力学計算

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第79回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 21a-135-2

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_2769

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 79

開催地: 名古屋国際会議場

開催日: 2018/09/18 - 2018/09/21

単結晶Siの直接通電加熱による低温変形とその分子動力学計算

*徳弘快, 阪本大樹, 清水雅弘, 下間靖彦, 三浦清貴, 八戸啓

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キーワード: 21a-135-2, 半導体, Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション, 表面微細構造, 転写, 分子動力学計算, 半導体

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