Fowler-Nordheim電流がMOS容量型センサに与える影響

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第79回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 21a-135-4

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_2771

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 79

開催地: 名古屋国際会議場

開催日: 2018/09/18 - 2018/09/21

Fowler-Nordheim電流がMOS容量型センサに与える影響

*祖父江琢哉, 藏本駿介, 萩原一樹, 田中貴久, 内田建

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キーワード: 21a-135-4, 半導体, Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション, 界面, 水素センサ, MOSキャパシタ, パラジウム

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