Ge表面におけるグラフェン・アシストエッチングの基礎研究～エッチング速度の温度依存性と活性化エネルギーの評価～

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第79回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 21p-135-10

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_2787

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 79

開催地: 名古屋国際会議場

開催日: 2018/09/18 - 2018/09/21

Ge表面におけるグラフェン・アシストエッチングの基礎研究～エッチング速度の温度依存性と活性化エネルギーの評価～

*平野智暉, 中田裕己, 山下裕登, 李韶賢, 川合健太郎, 山村和也, 有馬健太

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キーワード: 21p-135-10, 半導体, Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション, ウェットエッチング, 半導体表面, 還元グラフェン, エッチング

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