高純度FeおよびSi単体ターゲットを用いた同時スパッタリング法によるbeta-FeSi<sub>2</sub>膜の作製

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第79回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 20a-PA4-11

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_2829

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 79

開催地: 名古屋国際会議場

開催日: 2018/09/18 - 2018/09/21

高純度FeおよびSi単体ターゲットを用いた同時スパッタリング法によるbeta-FeSi₂膜の作製

*吉武剛, 内田聖也, 田中佑樹, 野上智宏, 吉田智博

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キーワード: 20a-PA4-11, 半導体, 探索的材料物性・基礎物性, シリサイド半導体，環境半導体, シリサイド半導体, 鉄シリサイド, スパッタリング

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