GaN へのMg 添加技術の最近の発展

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第79回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 20p-CE-5

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_29

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 79

開催地: 名古屋国際会議場

開催日: 2018/09/18 - 2018/09/21

GaN へのMg 添加技術の最近の発展

*成田哲生, 冨田一義, 徳田豊, 小木曽達也, 五十嵐信行, 菊田大悟, 堀田昌宏, 加地徹

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キーワード: 20p-CE-5, 特別シンポジウム, GaNのエピタキシャル成長とデバイス科学, III族窒化物半導体, 有機金属気相成長法, 深い準位

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