リモートプラズマを用いて形成したSiO<sub>2</sub>/Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/GaN構造のPL特性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第79回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 18p-PA6-14

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_3003

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 79

開催地: 名古屋国際会議場

開催日: 2018/09/18 - 2018/09/21

リモートプラズマを用いて形成したSiO₂/Ga₂O₃/GaN構造のPL特性

*高田昇治, 田岡紀之, 大田晃生, 山本泰史, グェンスァンチュン, 山田永, 高橋言緒, 池田弥央, 牧原克典, 清水三聡, 宮崎誠一

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キーワード: 18p-PA6-14, 半導体, 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術, 窒化物半導体各種デバイス，プロセス技術・評価, 窒化ガリウム, フォトルミネッセンス, 欠陥

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