応用物理学会学術講演会講演予稿集
Online ISSN : 2436-7613
第79回応用物理学会秋季学術講演会
セッションID: 21a-331-12
会議情報

主催: 公益社団法人 応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 79

開催地: 名古屋国際会議場

開催日: 2018/09/18 - 2018/09/21

AlGaN/GaN 界面準位が分極接合基板上 p-MOSFET の電流特性に与える影響
*鶴田 脩真, 星井 拓也, 中島 昭, 西澤 伸一, 大橋 弘通, 角嶋 邦之, 若林 整, 筒井 一生
著者情報
キーワード: 21a-331-12, 半導体, 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術, 窒化物半導体各種デバイス，プロセス技術・評価, GaN p-MOSFET
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© 2018 公益社団法人 応用物理学会
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