SiC p<sup>+</sup>nn<sup>+</sup>ダイオード中の単一光子源の発光特性に関する考察

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第79回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 21a-141-12

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_3428

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 79

開催地: 名古屋国際会議場

開催日: 2018/09/18 - 2018/09/21

SiC p⁺nn⁺ダイオード中の単一光子源の発光特性に関する考察

*常見大貴, 佐藤真一郎, 山﨑雄一, 牧野高紘, 土方泰斗, 大島武

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キーワード: 21a-141-12, 結晶工学, IV族系化合物（SiC）, デバイス（その他）, 単一光子源, 発光中心

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