プロトンビーム描画を用いてSiCデバイス中に作製したシリコン空孔のODMR測定

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第79回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 21a-141-11

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_3427

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 79

開催地: 名古屋国際会議場

開催日: 2018/09/18 - 2018/09/21

プロトンビーム描画を用いてSiCデバイス中に作製したシリコン空孔のODMR測定

*千葉陽史, 山崎雄一, 牧野高紘, 佐藤真一郎, 山田尚人, 佐藤隆博, 児島一聡, 土方泰斗, 大島武

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キーワード: 21a-141-11, 結晶工学, IV族系化合物（SiC）, デバイス（その他）, 単一光子源, 点欠陥, 光検出磁気共鳴

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