第一原理計算によるa-, m-面上の4H-SiC/SiO2 界面モデル構造の構築

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第79回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 21p-PB6-2

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_3431

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 79

開催地: 名古屋国際会議場

開催日: 2018/09/18 - 2018/09/21

第一原理計算によるa-, m-面上の4H-SiC/SiO2 界面モデル構造の構築

金子智昭, 田島暢夫, 山崎隆浩, *奈良純, 清水達雄, 加藤弘一, 大野隆央

著者情報

キーワード: 21p-PB6-2, 結晶工学, IV族系化合物（SiC）, シミュレーション, SiC, 酸化膜, シミュレーション

会議録・要旨集フリー

詳細

記事の1ページ目

著者関連情報

© 2018 公益社団法人応用物理学会

お気に入り & アラート

関連記事

閲覧履歴

Top