4H-SiC(0001)ポーラスエピタキシャルグラフェンの孔径及び孔密度制御 (Ⅱ)

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第79回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 18p-PB3-67

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_3655

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 79

開催地: 名古屋国際会議場

開催日: 2018/09/18 - 2018/09/21

4H-SiC(0001)ポーラスエピタキシャルグラフェンの孔径及び孔密度制御 (Ⅱ)

*竹田直喜, 石丸大樹, 橋本明弘

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キーワード: 18p-PB3-67, ナノカーボン, グラフェン, 成長技術, 陽極酸化

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