MOCVD-NEA表面作製装置を用いたInGaAsPのフォトカレント特性 ―半導体材料依存性―

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第66回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 10p-PA5-4

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2019.1.0_1455

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 66

開催地: 東京工業大学大岡山キャンパス

開催日: 2019/03/09 - 2019/03/12

MOCVD-NEA表面作製装置を用いたInGaAsPのフォトカレント特性 ―半導体材料依存性―

*出射幹也, 村田文浩, 山下海人, 七井靖, 渕真悟

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キーワード: 10p-PA5-4, 薄膜・表面, 表面物理・真空, 表面, 半導体, フォトカソード, NEA表面

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