バルクSi基板へのホットC<sup>＋</sup>イオン注入法によるSiCナノドット形成 (Ⅳ)：面方位依存性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第66回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 9p-M114-1

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2019.1.0_2727

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 66

開催地: 東京工業大学大岡山キャンパス

開催日: 2019/03/09 - 2019/03/12

バルクSi基板へのホットC^＋イオン注入法によるSiCナノドット形成 (Ⅳ)：面方位依存性

*山本将輝, 青木孝, 鮫島俊之, 水野智久

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キーワード: 9p-M114-1, 半導体, Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術, ナノプロセス, 半導体, SiC, 量子ドット

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