Quartz-free-HVPE成長n型GaN層における補償アクセプタの起源解明

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第66回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 9a-M121-10

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2019.1.0_2857

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 66

開催地: 東京工業大学大岡山キャンパス

開催日: 2019/03/09 - 2019/03/12

Quartz-free-HVPE成長n型GaN層における補償アクセプタの起源解明

*鐘ヶ江一孝, 藤倉序章, 乙木洋平, 今野泰一郎, 吉田丈洋, 堀田昌宏, 木本恒暢, 須田淳

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キーワード: 9a-M121-10, 半導体, 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術, 窒化物半導体各種デバイス，プロセス技術・評価, 窒化ガリウム, 深い準位, 補償アクセプタ

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