高温ガス成長法による高速レートでのφ４"長尺4H-SiC結晶の成長

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第66回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 9p-S422-11

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2019.1.0_3066

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 66

開催地: 東京工業大学大岡山キャンパス

開催日: 2019/03/09 - 2019/03/12

高温ガス成長法による高速レートでのφ４"長尺4H-SiC結晶の成長

*徳田雄一郎, 久野裕也, 上東秀幸, 岡本武志, 神田貴裕, 大矢信之, 星乃紀博, 鎌田功穂, 土田秀一

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キーワード: 9p-S422-11, 結晶工学, バルク結晶成長, バルク結晶, シリコンカーバイド, 結晶成長, ガス成長法

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