応用物理学会学術講演会講演予稿集
Online ISSN : 2436-7613
第80回応用物理学会秋季学術講演会
セッションID: 20p-E301-6
会議情報

主催: 公益社団法人 応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 80

開催地: 北海道大学 札幌キャンパス

開催日: 2019/09/18 - 2019/09/21

n型GaNのICP-RIEにおけるバイアスパワー制御によるプラズマダメージの低減
*山田 真嗣, 櫻井 秀樹, 長田 大和, 中村 敏幸, 上村 隆一郎, 須田 淳, 加地 徹
著者情報
キーワード: 20p-E301-6, シンポジウム（technical), 窒化物半導体エッチング技術　〜高制御性と低損傷性を求めて〜, 窒化ガリウム, 誘導結合型プラズマ反応性イオンエッチング
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