Transient Response of Drain Current after Biasing-Stress in GaN HEMTs on SiC Substrates with Field Plate

The 80th JSAP Autumn Meeting 2019

セッションID: 19a-E301-7

会議情報

主催: The Japan Society of Applied Physics

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 80

開催地: 北海道大学札幌キャンパス

開催日: 2019/09/18 - 2019/09/21

Transient Response of Drain Current after Biasing-Stress in GaN HEMTs on SiC Substrates with Field Plate

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キーワード: 19a-E301-7, Nitride semiconductor

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