自立GaN基板上に作製したGaN-on-GaN HEMTの絶縁破壊電界評価

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第80回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 19a-E301-8

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_3197

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 80

開催地: 北海道大学札幌キャンパス

開催日: 2019/09/18 - 2019/09/21

自立GaN基板上に作製したGaN-on-GaN HEMTの絶縁破壊電界評価

*青合充樹, 山本暠勇, 徳田博邦, 岡田成仁, 只友一行, アスバルジョエル, 葛原正明

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キーワード: 19a-E301-8, 半導体, 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術, 窒化物半導体電子デバイス・回路, GaN, HEMT, 破壊電界

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