電子ブロック層の最適化による250nm AlGaN UVC-LEDの出力改善

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第80回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 20a-E302-3

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_3282

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 80

開催地: 北海道大学札幌キャンパス

開催日: 2019/09/18 - 2019/09/21

電子ブロック層の最適化による250nm AlGaN UVC-LEDの出力改善

*中村励志, 藤川紗千恵, 前田哲利, 遠藤聡, 藤代博記, 平山秀樹

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キーワード: 20a-E302-3, 半導体, 光物性・発光デバイス, 半導体光物性, 半導体, 電子ブロック層, AlGaN UVC-LED

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