埋め込みSiO2光閉じ込め構造とn型導電性AlInN/GaN DBRを有するGaN系VCSEL

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第80回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 20a-E302-4

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_3283

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 80

開催地: 北海道大学札幌キャンパス

開催日: 2019/09/18 - 2019/09/21

埋め込みSiO2光閉じ込め構造とn型導電性AlInN/GaN DBRを有するGaN系VCSEL

*飯田涼介, 村永亘, 上島佑介, 岩山章, 竹内哲也, 上山智, 岩谷素顕, 赤﨑勇

著者情報

キーワード: 20a-E302-4, 半導体, 光物性・発光デバイス, 半導体光物性, 半導体, VCSEL, GaN

会議録・要旨集フリー

詳細

記事の1ページ目

著者関連情報

© 2019 公益社団法人応用物理学会

お気に入り & アラート

関連記事

閲覧履歴

Top