AlN/Si(110)上SiCエピタキシャル成長におけるSiC低温バッファ層の効果

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第80回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 21a-E311-3

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_3656

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 80

開催地: 北海道大学札幌キャンパス

開催日: 2019/09/18 - 2019/09/21

AlN/Si(110)上SiCエピタキシャル成長におけるSiC低温バッファ層の効果

奈良友奎, *葛西大希, 中澤日出樹

著者情報

キーワード: 21a-E311-3, 結晶工学, IV族系化合物（SiC）, エピ／薄膜, 炭化ケイ素, 窒化アルミニウム, レーザーアブレーション

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