電子線照射によるNVセンター形成へのP1濃度による影響

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第67回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 14p-D221-5

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2020.1.0_1290

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 67

開催地: 上智大学四谷キャンパス

開催日: 2020/03/12 - 2020/03/15

電子線照射によるNVセンター形成へのP1濃度による影響

*小野田忍, 佐伯誠一, 増山雄太, 石井秀弥, 宮川仁, 谷口尚, 渡邊賢司, 寺地徳之, 上坪優希, 関口武治, 波多野睦子, 磯谷順一, 大島武

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キーワード: 14p-D221-5, 薄膜・表面, カーボン系薄膜, ダイヤモンド薄膜, NVセンター, 電子線照射, 電子スピン共鳴

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