Effect of High Temperature on Electron Trapping Behavior of GaN HEMTs on SiC Substrates with Field Plate

The 67th JSAP Spring Meeting 2020

セッションID: 12p-B401-16

会議情報

主催: The Japan Society of Applied Physics

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 67

開催地: 上智大学四谷キャンパス

開催日: 2020/03/12 - 2020/03/15

Effect of High Temperature on Electron Trapping Behavior of GaN HEMTs on SiC Substrates with Field Plate

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