第67回応用物理学会春季学術講演会
セッションID: 13a-B401-3
会議情報
主催: 公益社団法人 応用物理学会
会議名: 応用物理学会春季学術講演会
回次: 67
開催地: 上智大学 四谷キャンパス
開催日: 2020/03/12 - 2020/03/15
GaN/HfSiOx界面でSiO2及びHfO2初期成長層が電気特性へ及ぼす影響
キーワード:
13a-B401-3,
半導体,
化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術,
窒化物半導体各種デバイス，プロセス技術・評価,
GaNパワーデバイス,
GaN/HfSiOx スタック構造,
Plasma-Enhanced ALD
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