選択再成長高濃度ボロンドープ層の導入によるALD-Al2O3ダイヤモンドMOSFETsの接触抵抗低減;ドレイン電流密度 | IDS | > 1 A/mm

第67回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 14p-B401-16

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 67

開催地: 上智大学四谷キャンパス

開催日: 2020/03/12 - 2020/03/15

選択再成長高濃度ボロンドープ層の導入によるALD-Al₂O₃ダイヤモンドMOSFETsの接触抵抗低減;ドレイン電流密度 | I_DS| > 1 A/mm

著者情報

会議録・要旨集フリー

詳細