RFマグネトロンスパッタ法を用いたGaN薄膜の作製とその電気抵抗の圧力依存性の評価

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第67回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 13p-PB1-9

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2020.1.0_3054

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 67

開催地: 上智大学四谷キャンパス

開催日: 2020/03/12 - 2020/03/15

RFマグネトロンスパッタ法を用いたGaN薄膜の作製とその電気抵抗の圧力依存性の評価

*齋藤佑樹, 宮本卓哉, 佐藤祐喜, 大鉢忠, 吉門進三, 竹本菊郎, 宇野裕行, 木村直人, 高崎正規

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キーワード: 13p-PB1-9, 結晶工学, III-V族窒化物結晶, 成長（MBE, スパッタリング）, GaN, スパッタ

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