ミストCVD法によるrh-ITO上のε-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜成長と電気的特性評価

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第67回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 13p-D419-5

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2020.1.0_3522

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 67

開催地: 上智大学四谷キャンパス

開催日: 2020/03/12 - 2020/03/15

ミストCVD法によるrh-ITO上のε-Ga₂O₃薄膜成長と電気的特性評価

*伊藤雄祐, 藤原悠希, 西中浩之, 田原大祐, 島添和樹, 新田悠汰, 野田実, 吉本昌広

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キーワード: 13p-D419-5, 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」, 物性評価, 酸化ガリウム, ミストCVD, 電気的特性

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