R面サファイア上にミストCVDで作製したα-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜の表面構造解析

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第67回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 13p-D419-6

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2020.1.0_3523

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 67

開催地: 上智大学四谷キャンパス

開催日: 2020/03/12 - 2020/03/15

R面サファイア上にミストCVDで作製したα-Ga₂O₃薄膜の表面構造解析

*久保理, 丹波大樹, 尾坂駿, 織田真也, 田畑博史, 片山光浩

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キーワード: 13p-D419-6, 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」, 薄膜成長, 酸化ガリウム, イオン散乱分光, 表面終端

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