AsおよびBの共ドープによるSi中Asクラスターの特性制御

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第81回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 10p-Z10-8

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2020.2.0_1827

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 81

開催地: オンライン開催

開催日: 2020/09/08 - 2020/09/11

AsおよびBの共ドープによるSi中Asクラスターの特性制御

*筒井一生, 松橋泰平, 星井拓也, 角嶋邦之, 若林整, 永山勉, 樋口隆弘, 加藤慎一, 谷村英昭, 室隆桂之, 松下智裕, 森川良忠

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キーワード: 10p-Z10-8, 半導体, Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術, 不純物導入技術／浅接合／過渡的増速拡散, 共ドープ, 不純物クラスター, 活性化

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