Si基板上GaN成長における結晶方位回転成長領域とピット生成の関係

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第68回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 19a-Z27-3

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2620

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 68

開催地: オンライン開催

開催日: 2021/03/16 - 2021/03/19

Si基板上GaN成長における結晶方位回転成長領域とピット生成の関係

*岡本和也, 出浦桃子, 依田孝, 高橋英志, 宮野清孝, 津久井雅之, 百瀬健, 杉山正和, 霜垣幸浩

著者情報

キーワード: 19a-Z27-3, 結晶工学, III-V族窒化物結晶, 成長（MOVPE）, ピット, Si基板, GaN

会議録・要旨集フリー

詳細

記事の1ページ目

著者関連情報

© 2021 公益社団法人応用物理学会

お気に入り & アラート

関連記事

閲覧履歴

Top