Si過剰雰囲気下4H-SiC(0001)ホモエピタキシャル成長におけるC及びN含有分子の表面拡散距離の解析

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第68回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 17a-Z28-6

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2666

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 68

開催地: オンライン開催

開催日: 2021/03/16 - 2021/03/19

Si過剰雰囲気下4H-SiC(0001)ホモエピタキシャル成長におけるC及びN含有分子の表面拡散距離の解析

*望月和浩, 三島友義

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キーワード: 17a-Z28-6, 結晶工学, IV族系化合物（SiC）, エピ／薄膜, 炭化珪素, 窒素, 表面拡散

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