4H-SiC(0001)基板を用いたTi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜の合成

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第82回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 12a-S203-5

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.2.0_1341

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 82

開催地: ハイブリッド開催（名城大学＆オンライン）

開催日: 2021/09/10 - 2021/09/23

4H-SiC(0001)基板を用いたTi₂O₃薄膜の合成

*宮崎悟, 吉松公平, 長谷川直人, 組頭広志

著者情報

キーワード: 12a-S203-5, 薄膜・表面, 酸化物エレクトロニクス, 薄膜、界面、ヘテロ構造, 酸化物チタン, 金属ー絶縁体転移

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