InAs<sub>1-<i>x</i></sub>Bi<i><sub>x</sub></i>/GaAs量子ドットの実現に向けたMBE成長条件の検討

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第82回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 12p-N406-9

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.2.0_2861

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 82

開催地: ハイブリッド開催（名城大学＆オンライン）

開催日: 2021/09/10 - 2021/09/23

InAs_1-xBi_x/GaAs量子ドットの実現に向けたMBE成長条件の検討

*吉岡顕大, 横手竜希, 岡村祐輝, 藤野翔太朗, 富永依里子, 行宗詳規, 石川史太郎, 林将平, 赤羽浩一

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キーワード: 12p-N406-9, 結晶工学, III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎, MBE, 量子ドット, ビスマス, InAsBi

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