低濃度 ClF3 ガスによる SiC 膜脱離を活用した SiC エピ装置クリーニング

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第82回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 10p-S202-14

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.2.0_3034

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 82

開催地: ハイブリッド開催（名城大学＆オンライン）

開催日: 2021/09/10 - 2021/09/23

低濃度 ClF3 ガスによる SiC 膜脱離を活用した SiC エピ装置クリーニング

間明田巧, *滝澤唯夏, 羽深等, 石黒暁夫, 石井成明, 醍醐佳明, 伊藤英樹, 水島一郎, 高橋至直

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キーワード: 10p-S202-14, 結晶工学, IV族系化合物（SiC）, 成長, 炭化ケイ素CVD, リアクタークリーニング

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