応用物理学会学術講演会講演予稿集
Online ISSN : 2436-7613
第69回応用物理学会春季学術講演会
セッションID: 23p-E307-10
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表面ラフネス散乱に対してロバストな極薄膜nMOSFETのチャネル材料と面方位の最適設計
*隅田 圭陳 家驄トープラサートポン カシディット竹中 充高木 信一
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