4H-SiC/SiO<sub>2</sub>界面での窒素酸化物およびアンモニアの反応機構の理論的検討

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第69回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 24p-E302-14

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2492

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 69

開催地: ハイブリッド開催（青山学院大学＋オンライン）

開催日: 2022/03/22 - 2022/03/26

4H-SiC/SiO₂界面での窒素酸化物およびアンモニアの反応機構の理論的検討

*秋山亨, 清水紀志, 伊藤智徳, 影島博之, 白石賢二

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キーワード: 24p-E302-14, 半導体, 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価, SiCプロセス技術・評価, 化合物, 第一原理計算, POA

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