InAs/GaAs(111)Aのメタモルフィック成長とその赤外線検出器応用

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第69回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 23a-F407-7

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2617

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 69

開催地: ハイブリッド開催（青山学院大学＋オンライン）

開催日: 2022/03/22 - 2022/03/26

InAs/GaAs(111)Aのメタモルフィック成長とその赤外線検出器応用

*間野高明, 大竹晃浩, 川津琢也, 宮崎英樹, 佐久間芳樹

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キーワード: 23a-F407-7, 結晶工学, III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎, MBE, 赤外線検出器, InAs, GaAs

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