組成傾斜p-AlGaN層とp-Al<sub>0.4</sub>Ga<sub>0.6</sub>Nコンタクト層を有する深紫外LED

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第69回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 26a-E203-8

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2728

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 69

開催地: ハイブリッド開催（青山学院大学＋オンライン）

開催日: 2022/03/22 - 2022/03/26

組成傾斜p-AlGaN層とp-Al_0.4Ga_0.6Nコンタクト層を有する深紫外LED

*岩月梨恵, 藤田真帆, 石黒永孝, 上山智, 岩谷素顕, 竹内哲也, 永田賢吾, 奥野浩司, 齋藤義樹

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キーワード: 26a-E203-8, 結晶工学, III-V族窒化物結晶, 光デバイス（紫外）, 半導体

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