ナノパターン加工を施した AlN 上に形成した AlGaN 系 UV-B 半導体レーザの特性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第69回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 26p-E203-5

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2736

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 69

開催地: ハイブリッド開催（青山学院大学＋オンライン）

開催日: 2022/03/22 - 2022/03/26

ナノパターン加工を施した AlN 上に形成した AlGaN 系 UV-B 半導体レーザの特性

*近藤涼輔, 大森智也, 山田和輝, 長谷川亮太, 薮谷歩武, 松原衣里, 岩山章, 岩谷素顕, 竹内哲也, 上山智, 三宅秀人

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キーワード: 26p-E203-5, 結晶工学, III-V族窒化物結晶, 光デバイス（紫外）, 半導体, 窒化物, 紫外レーザ

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