超イオン導電体の構造と熱容量

抄録

超イオン導電体(SIC)を,キャリア数を尺度として分類すると,構成原子数と同数の自由電子をもつ金属と対比されるSIC(Type I)と,不純物によってキャリア数が変化する半導体に対比されるSIC(Type II)とに分類される。Type IのSICの結晶構造は,可動イオンの配置に著しい乱れがあり,それが熱容量に異常な変化をもたらす。Type Iに属するAgI,Ag₂S,RbAg₄I₅を例に,結晶構造と異常熱容量の関係を概説する。