109 応力に起因するnMOSFETの真性キャリア濃度変化に関するデバイスシミュレーション

小金丸 正明; 多田 直弘; 池田 徹; 宮崎 則幸

doi:10.1299/jsmecmd.2013.26._109-1_

抄録

機械的な応力に起因するnMOSFETの電気特性変動をドリフト拡散デバイスシミュレーションにより評価した.その際,機械的な応力効果を反映する電子移動度モデルとともに,本研究では新たに機械的応力による真性キャリア濃度の変化を反映すモデルを用いた.シミュレーションの結果,応力に起因する真性キャリア濃度変化に伴う電気特性変動は小さいことが分かった.

著者関連情報

お気に入り & アラート

お気に入りに追加
追加情報アラート
被引用アラート
認証解除アラート

閲覧履歴

Influence of Temporal Resolution on Sediment Transport Modeling in SWAT for High-flow Events
Perceived azimuth-based creditability and self-reported confidence for sound localization experiments using crowdsourcing

発行機関からのお知らせ

会員向け購読者番号とパスワードは以下URLよりご確認下さい。
https://www.jsme.or.jp/publication/proceedings/

責任著者(Corresponding author)

J-STAGEへの登録はこちら（無料）