1P1-H09 化学 IC 用カップリング手法の開発 : 第 2 報シールド特性の理論的解明

抄録

モジュラー型の新規マイクロ化学デバイスである化学ICの必須課題である結合技術として「シリコンラバーカップリング法」を開発してきた。本法は従来の0リング密閉方式と異なり, シリコンラバーの膜厚を薄くするのに伴い, 最大耐圧が高くなる結果を示した。これはカップリング部を薄くできるため実用上非常に有効であるうえ, 学術的にも興味深い。そこで, 本シリコンラバーカップリングの基本特性を理論的に解析し, 実験結果の妥当性を示した。その結果, 定量設計法も可能になり, 一般のマイクロ化学デバイスにも適用可能になった。