直流通電加熱によるSi(001)原子層平坦面の位置制御

抄録

通電加熱は,試料そのものを発熱体として用いる加熱方法であり,シリコン表面研究において多用される加熱方法の一つである。本稿においては,シリコンの通電加熱方法の概略と,通電加熱時にSi(001)表面で起こる特徴的な現象,さらには我々が開発した直流通電加熱によるSi(001)原子層平坦面の位置制御について紹介する。