プラズマ酸化を援用した低ピット密度グラフェン／SiC構造の形成と評価

抄録

我々はこれまでに、150℃以下の温度領域でのプラズマ酸化とHF浸漬を組み合わせることにより、SiC表面上にモノレイヤーレベルで厚さが制御されたカーボン堆積層が形成できることを見出した。そして、この試料を超高真空中で加熱することにより、ピット密度が低いグラフェン／SiC構造の形成に成功した。本報告では、ラマン分光やAFM観察、電気特性測定を用いたグラフェンの特性評価に関する進捗を報告する。