Hf 4f, Si 2p, およびO1s 内殻分光によるSi(111)上に作製したハフニウム超薄膜の初期酸化過程解明

抄録

本研究では、Si(111)-7×7清浄表面上にハフニウム超薄膜［Hf/Si(111)］を作製し、その初期酸化過程をHf 4f, Si 2p, およびO 1s内殻光電子スペクトル測定によって解明した。その結果、膜厚が2原子層程度のHf超薄膜ではHfSi層が表面に形成するため酸化がゆっくりと進行するが、それ以上の膜厚では表面に金属Hf成分が現れることでHfおよび一部のSiで急速な酸化が起こることが分かった。