DCスパッタリングによる近赤外線フィルター用a-Si:Hの製作と評価

抄録

近年、近赤外線領域の光学積層ﾌｨﾙﾀｰにa-Si:Hの成膜が求められているが光学吸収特性に課題があった。そこで我々はDCｽﾊﾟｯﾀﾘﾝｸﾞ法によりa-Si:Hを成膜し光学ﾌｨﾙﾀｰへの適用可能性を検討している。H2添加及び加熱成膜により光学吸収係数k(λ940nm)は<1E-3となり光学ﾌｨﾙﾀｰへの適用可能性が示唆された。高水素分圧条件にて懸念される光劣化特性の評価と合わせて報告を行う。