Bi₁Te₁薄膜の作製とその表面電子状態

抄録

Bi₁Te₁は2 quintuple-layer (QL) Bi₂Te₃とbi-layer Biの超格子であり、起源の異なる2つのトポロジカル表面状態を併せ持つ。そのため、起源となる対称性を破ることで対応する表面状態を独立に制御できると期待される。 今回我々はBi₁Te₁薄膜の作製に成功、その表面電子状態を角度分解高電子分光で測定し、1QLおよび2QL-Bi₂Te₃終端Bi₁Te₁のバンド計算と比較した。